半导体指标残留测试

检测项目

1. 湿法工艺化学品残留：无机酸残留、有机溶剂残留、表面活性剂残留、刻蚀液组分残留、氨水残留。

2. 电镀与沉积工艺残留：电镀液金属离子残留、化学镀催化剂残留、前驱体分解产物残留、掺杂剂扩散残留。

3. 研磨与抛光残留：研磨颗粒残留、抛光液磨料残留、分散剂残留、氧化剂残留、金属络合剂残留。

4. 光刻工艺残留：光刻胶残留、抗反射涂层残留、显影液组分残留、去胶液残留、光引发剂分解产物。

5. 金属化与互连残留：阻挡层材料残留、种子层金属残留、电迁移阻隔材料残留、合金化元素残留。

6. 离子注入与退火残留：注入元素非激活残留、光阻碳化残留、退火环境杂质引入、表面氧化物残留。

7. 清洗剂与表面处理剂残留：氢氟酸残留、过氧化氢残留、盐酸残留、螯合剂残留、缓蚀剂残留。

8. 有机物污染残留：总有机碳残留、硅氧烷残留、塑化剂残留、润滑油烃类残留、抗静电剂残留。

9. 金属元素污染残留：碱金属离子残留、重金属离子残留、过渡金属离子残留、稀土元素残留。

10. 气态污染物残留：挥发性有机化合物残留、酸性气体吸附残留、碱性气体吸附残留、微粒附着物。

11. 封装材料析出物残留：模塑料低分子析出、环氧树脂固化剂残留、芯片粘结剂挥发物、导热界面材料硅油析出。

检测范围

硅抛光片、外延片、光掩模版、金属溅射靶材、光刻胶与试剂、化学机械抛光垫与液、晶圆传送盒、石英舟与腔体部件、键合丝、引线框架、陶瓷封装外壳、塑封料、芯片粘结材料、导热膏、封装基板、清洗用化学品、高纯特种气体、制程去离子水、工艺腔体沉积膜、成品芯片

检测设备

1. 电感耦合等离子体质谱仪：用于超痕量金属元素及同位素的定性定量分析；具备极高的灵敏度与极低的检测限。

2. 气相色谱-质谱联用仪：用于复杂体系中挥发性及半挥发性有机物的分离与鉴定；可进行残留溶剂与有机污染物的精准分析。

3. 离子色谱仪：用于阴离子、阳离子及极性有机化合物的分离与检测；特别适用于无机酸根、碱金属等离子的残留分析。

4. 总有机碳分析仪：用于快速测定液体或固体样品中总有机碳的含量；测试清洗效果及有机物污染水平。

5. 飞行时间二次离子质谱仪：用于材料表面及深度方向的元素与分子组成成像分析；可进行微区污染物分布与深度剖析。

6. 原子力显微镜：用于纳米尺度表面形貌与物理性质表征；可观察表面颗粒污染与薄膜均匀性。

7. 热脱附-气相色谱质谱联用系统：用于固体材料中可挥发性及半挥发性残留物的释放特性分析；模拟工艺加热过程。

8. 傅里叶变换红外光谱仪：用于有机物官能团、化学键及薄膜厚度的定性定量分析；识别未知有机污染物。

9. 全反射X射线荧光光谱仪：用于硅片等光滑表面痕量金属污染的非破坏性快速筛查；适用于在线或批量检测。

10. 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪：用于固体材料微区元素成分的直接定量分析；实现污染物空间分布的高分辨率 mapping。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.